Особенности эксплуатации транзисторов в радиоаппаратуре
При конструировании, создании и эксплуатации компьютерной техники следует принимать во внимание ее специфические характеристики. Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть обеспечена только при учете таких факторов, как разброс характеристик транзисторов, их температурная нестабильность и зависимость характеристик от режима работы, а также изменение характеристик транзисторов в процессе эксплуатации.
Биполярные транзисторы сохраняют свои параметры в установленных пределах в условиях работы и хранения, характерных для разных видов и классов аппаратуры. Условия эксплуатации техники могут изменяться в больших пределах. Эти условия характеризуются внешними вибрационными нагрузками и климатическими воздействиями (атмосферными и др.).
Общие требования, справедливые для всех транзисторов, предназначенных для применения в аппаратуре определенного класса, содержатся в общих технических условиях. Нормы на значения электрических характеристик и специфические требования, относящиеся к конкретному виду транзистора, содержатся в частных технических условиях.
Для удобства разработки и ремонта основные характеристики транзисторов и их схемы собраны в справочнике. К преимуществам Интернет справочника можно отнести его общедоступность, пополняемость, мгновенный поиск требуемого транзистора по маркировке и аналогу.
Под воздействием разных факторов окружающей среды некоторые параметры транзисторов и свойства могут изменяться. Для герметичной защиты транзисторных структур от внешних воздействий служат корпуса приборов. Конструктивное оформление электронных приборов рассчитано на их использование в составе аппаратуры при любых допустимых условиях применения. Важно помнить, что корпуса транзисторов, в конечном счете, имеют ограничение по герметичности. Поэтому при использовании электронных приборов в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влажности, платы с расположенными на них электронными элементами следует покрывать лаком не менее чем в три слоя.
Все большее распространение находят так называемые бескорпусные транзисторы, изготовленные для применения в микросхемах и микросборках. Кристаллы таких элементов защищены специальным покрытием, но оно не дает хорошей защиты от воздействия окружающей среды. Защита увеличивается общей герметизацией всей микросхемы.
Чтобы обеспечить долголетнюю и безотказную работу полупроводникового оборудования, конструктор обязан не только учесть характерные особенности транзисторов на этапе разработки аппаратуры, но и обеспечить нужные условия ее эксплуатации и хранения.
Транзисторы - трехполюсники универсального назначения. Они могут быть без нареканий использованы не только в классе устройств, для которых они разработаны, но и во многих других аппаратах. Однако набор параметров и характеристик, приводимых в электронном справочнике, соответствует главному назначению транзистора. В справочнике приводятся значения параметров транзисторов, гарантируемые техническими условиями для соответствующих оптимальных или предельных режимов эксплуатации. Рабочий режим трехполюсника в ремонтируемом блоке часто отличается от того режима, для которого приведены параметры в ТУ.
Значения большинства параметров транзисторов зависят от рабочего режима и температуры, причем с увеличением температуры зависимость параметров от режима видно более сильно. В справочнике приводятся, как правило, типовые (усредненные) зависимости параметров транзисторов от тока, напряжения, температуры, частоты и т. п. Данные зависимости должны использоваться при установке типа транзистора и ориентировочных расчетах, так как данные характеристик трехполюсников одного типа не одинаковы, а лежат в некотором диапазоне. Этот интервал ограничивается минимальным или максимальным значением, указанным в справочнике. Некоторые характеристики имеют двустороннее ограничение.
При конструировании радиотехники необходимо стремиться обеспечить их работоспособность в возможно более больших интервалах изменений важнейших параметров транзисторов. Разброс параметров транзисторов и их изменение во времени при настройке могут быть учтены расчетными методами или экспериментально — методом граничных испытаний.
Полевые транзисторы с управляющим р-n переходом работают в режиме обеднения канала носителями заряда (независимо от типа его проводимости) при изменении потенциала затвор - исток от нулевого значения до напряжения отсечки тока стока.
В отличие от транзисторов с управляющим р-n переходом, у которых функциональная область составляет от Uзи = 0 до потенциала запирания, МДП-транзисторы имеют высокое входное сопротивление при любых значениях напряжения на затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора.
Поймал мужик золотую рыбку, хотел уху сварить, а рыбка и говорит "Не ешь меня, я золотая рыбка". Мужик
- "И чего мне с тобой делать тогда?"
Рыбка
- "Ну ты мужик умный, сказки наверно читал, сообразишь"
Мужик оторвал у рыбки плавники и хвост, бросил на ветер
-"Лети, лети лепесток....."
